发明专利已授权

一种制备Diamond/SiC复合材料的方法

📄 申请号：CN202110791110.4 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-07-13

公开号

CN113416075A

公开日

2021-09-21

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_52

IPC 分类号

C04B35_52 , C04B35_573 , C04B35_622 , C04B35_64 ,

技术画像

所属领域

陶瓷基复合材料陶瓷基复合材料金刚石/碳化硅复合材料复合材料制备工艺

应用场景

半导体散热, 电子封装, 大功率器件热管理, 航空航天热防护, 精密加工工具

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摘要

本发明公开了一种制备Diamond/SiC复合材料的方法，包括如下步骤：1)制备金刚石预制体：将金刚石、石墨、硅粉、粘结剂按质量比混合均匀并压制生坯，将生坯在1000‑1200℃保护气氛下碳化得金刚石预制体；2)制备Diamond/SiC复合材料：将金刚石预制体置于氮化硅粉末上，于1500‑1700℃真空炉中充分反应1‑2h即得Diamond/SiC复合材料。本发明有效的避免了过量硅粉对样品的粘连，便于后续样品处理。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

面向异构设备的分布式神经网络训练方法、装置及介质

当前第 / 件

基于超声图像的乳腺肿瘤良恶性分类方法、装置和介质

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