发明专利已授权

氮化硅陶瓷的制备方法

📄 申请号：CN201710114193.7 📄 发布日：2026/07/07

著录项目信息

申请日

2017-02-28

公开号

CN106866154A

公开日

2017-06-20

申请人

安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_584

IPC 分类号

C04B35_584 , C04B35_64 ,

技术画像

所属领域

陶瓷材料陶瓷材料氮化硅陶瓷陶瓷制备工艺

应用场景

结构陶瓷, 电子陶瓷, 耐磨材料, 高温结构部件, 航空航天

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摘要

本发明提出了一种氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂1～4份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为12～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200623

✅ 授权

20170714

?? 实质审查的生效：

20170620

📄 公开

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