本发明提供的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙醇、水、硝酸按照一定比例均匀混合，经过搅拌和干燥后得到硅氧烷干凝胶前驱体；通过碳热还原反应法在高温条件下生长得到氮化硅纳米材料；在高温条件下，通过浮动CVD法将乙醇、乙二胺及二茂铁的混合溶液注射到管式炉中，在氮化硅纳米带表面生长碳纳米管从而制得原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料；本发明为提高氮化硅纳米复合材料的电磁屏蔽性能,利用浮动CVD法将碳纳米管原位生长在氮化硅纳米带材料表面,制备得到具有轻质、柔性及良好的电磁屏蔽性能的碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料。
📄 2023106030207
📂 C01B32_16
👤 陕西科技大学
📅 2023-05-25
本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。
📄 2019107747634
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2019-08-21
本发明提供了一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，包括以下步骤：S1：利用聚合物转化法制备得到不同硅硼元素比例的非晶陶瓷粉体；S2：将步骤S1制备得到的非晶陶瓷粉体进行预加工处理后得到原料块体；S3：将所述步骤S2得到的所述原料块体通过金属钼箔包裹后装入六面顶压机的合成腔室中，进行加热加压并保温保压，之后冷却卸压，得到非晶氮化硅和硼掺杂氮化硅基陶瓷材料。通过本发明制备而得的非晶陶瓷具备较高的硬度，本发明方法大大降低了氮化硅和氮化硅基非晶陶瓷制备的苛刻条件、成本和周期，并为其它非晶陶瓷材料的制备提供了参考。
📄 202410265790X
📂 C04B35_593
👤 宁波大学
📅 2024-03-08
本发明提供氮化硅陶瓷基板素坯的制备方法，包括以下步骤：S1：将市售α‑Si3N4粉体以及稀土氧化物进行预处理；S2：制备微纳浆料：N2保护下分别将经预处理的市售α‑Si3N4粉体、稀土氧化物按比例混合在混料器中充分混匀，生成S0；在市售分散剂中加入聚硅氧烷生成L1，将非水系增塑剂和湿润剂混合成L2；将非水系粘结剂和有机溶剂在N2保护下充分搅拌溶解制成液态溶液L3；将S0、L1、L2和L3混合、砂磨制成微纳浆料J0，S3：制备流延片；S4：制备素坯；S5：制备氮化硅基板毛板测量性能，本发明制得的素坯制得的基板毛板测量热导率都在85W/(m·K)以上，较现有技术中制得的氮化硅基板的热导率都有得到了显著的提升，测量的断裂韧性都在6.5MPa/m2以上。
📄 2022105684878
📂 C04B35_584
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-05-23
本发明提供GSPL‑SNST氮化硅流延素坯的制备方法，包括以下步骤：利用SDPR预处理系统和/或HVCM预处理系统和/或GSPL生产线制备的GSPL‑SNCS浆料，经真空消泡、流延、烘干形成厚度为T0的第一素坯。将N层除去膜带后的第一素坯进行裁切和整齐层叠并用PET真空包装袋密封后置于等静压机中在1‑40MPa压力下静压5‑40分钟，形成由多层第一素坯融合而成的第二素坯。本发明的方法生产的第一素胚的各方面性能优于之前的素胚，用等静压机让多层素胚融合，这样就保证了，切片的时候每一块的素胚性能几乎完全一致，粗糙度比较小，且无明显分层和气孔现象。我们可以根据需要去定制所需要的厚度，不会产生浪费。
📄 2022105630030
📂 B28B1_29
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-05-23
本发明公开了一种多孔氮化硅负载Pd‑M催化剂及其制备和在乙炔选择性加氢中的应用。所述多孔氮化硅负载Pd‑M催化剂的制备方法包括：1)获得多孔氮化硅；2)将含M前驱体与氯化钯、多孔氮化硅、溶剂A充分混合，搅拌均匀，得到混合物1；3)将混合物1静置，待溶液清亮透彻，进行过滤得到混合物2；4)对混合物2进行微波加热烘干处理，得到烘干产物；5)对烘干产物用焦耳加热仪进行高温处理，冷却至室温，用溶剂B充分洗涤得到高温处理产物；6)将高温处理产物进行微波加热烘干，研磨得到多孔氮化硅负载Pd‑M催化剂。本发明提供了所述的多孔氮化硅负载Pd‑M催化剂在乙炔选择性加氢合成乙烯中的应用，具有好的反应活性和稳定性。
📄 2024119665513
📂 B01J27_24
👤 浙江工业大学
📅 2024-12-30
本发明涉及精密加工技术领域，涉及氮化硅陶瓷球的精密加工，具体涉及一种氮化硅陶瓷球加工用装置及方法。本发明提供了一种氮化硅陶瓷球加工用沟槽盘，沟槽盘上设有变曲率沟槽，变曲率沟槽包括交错设置的同心圆曲线、偏心圆曲线和直线，同心圆曲线、偏心圆曲线、直线两两交界处的角度变化值不一。用上述沟槽盘对陶瓷球进行加工，可通过沟槽盘上的变曲率沟槽实现陶瓷球体自转角突变，提高了加工轨迹包络整个球面的效率。
📄 2023111361445
📂 B24B37_025
👤 浙江工业大学
📅 2023-09-05
本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法，结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构，从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体，其生长制备更加简便，并且实现了高Q值，低损耗，同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合，有利于高性能激光器的实现。
📄 202111234345X
📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
一种高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法，属于轴承制作技术，适于安装在高精度、高转速、高档数控机床和加工中心主轴上，本发明给出的高精度热压氮化硅陶瓷球轴承，包括：由钢制成的一个内圈和一个外圈，内圈和外圈分别具有球轴承圆弧滚道；设置在内外圈球轴承滚道之间并与之接触的陶瓷球滚动体；一个设置在内外圈之间以保持陶瓷球的滚动体隔离圈，即保持架；其特点是所述的陶瓷球滚动体由锥形研磨加工工艺和技术设备获得，其精度达到G5、G3级。本发明的特点是：极限运转速度高；运转精度高；耐高温，且可无润滑运转；重量轻；在一些高腐蚀性介质中可长期稳定工作；标准化程度高，便于维修、互换。
📄 2004100888565
📂 F16C19_06
👤 沈阳建筑大学
📅 2004-11-08
一种无内圈式热等静压氮化硅全陶瓷球轴承及其制造方法，涉及一种机械配件，包括有陶瓷外圈、保持架、陶瓷球及高精度机床主轴，该球轴承为角接触型，外圈和主轴分别设有一个各自的外滚道和内滚道，彼此面对面，各自的凹面朝着对方，外圈带有锁口，滚动体陶瓷球设置在滚道之间，主轴和陶瓷球、陶瓷轴承外圈装配成一体，轴承和机床主轴为分离式安装。高精度无内圈全陶瓷轴承加工工艺步骤可分为粗研、半精研、精研、超精研、抛光，本发明应用在机床主轴单元上，其轴承本身采用陶瓷材料，结构简单，重量轻，耐高温，极限运转速度高。
📄 2006101341189
📂 F16C19_06
👤 沈阳建筑大学
📅 2006-11-02
本发明一种纳米木质素‑氮化硅基陶瓷及其制备方法，该纳米木质素‑氮化硅基陶瓷包括85wt％～90wt％的氮化硅、1wt％～5wt％的木质素、总质量分数为9wt％～10wt％的氧化镁和氧化钇，所述各组分配合比之和为100％。制备方法包括以下步骤，步骤1，称取质量分数为85wt％～90wt％的氮化硅粉体、1wt％～5wt％的木质素粉体、总质量分数为9wt％～10wt％的氧化镁和氧化钇粉体，混合均匀后干燥得到复合粉料；步骤2，将复合粉料装入模具中进行预压，并在氮气氛围的保护下进行烧结，先升温至600～800℃时，保温至少30min，再升温至1700℃～1800℃，压力为30MPa～50MPa的条件下进行烧结，烧结后保温保压时间为30min～60min后得到纳米木质素‑氮化硅基陶瓷。木质素为纳米大小，所以能够与氮化硅基体更好地结合在一起，能表现出更好的力学性能。
📄 2020110033365
📂 C04B35_596
👤 陕西科技大学
📅 2020-09-22
本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗，减少成本。
📄 2020111038987
📂 C04B35_622
👤 郑州航空工业管理学院
📅 2020-10-15
柿子坊 · 知识产权运营
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