发明专利已授权

一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质

Name: 一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质
Brand: 山西东明光伏科技有限公司
SKU: 2023108947687
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310894768.7 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2023-07-20

公开号

CN116912215B

公开日

2026-02-17

申请人

山西东明光伏科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06T7_00

IPC 分类号

G06T7_00 , G06T7_11 , G06V10_26 , G06V10_44 ,

技术画像

所属领域

单晶硅半导体晶圆检测机器视觉图像识别缺陷检测电子设备单晶硅

应用场景

半导体制造, 晶圆检测, 集成电路制造, 芯片质量检测, 硅片生产

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摘要

本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取单晶硅片图像，单晶硅片图像中包括多条线痕；对单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；判断偏离值是否不大于预设偏离值；若是，则确定单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定单晶硅片存在线痕缺陷。本申请有效提高了单晶硅片线痕缺陷检测的准确度。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN116912215B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种硅片检测用真空吸盘装置

当前第 / 件

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