实用新型已授权

一种肖特基二极管自定位封装结构

📄 申请号：CN202223104832.7 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2022-11-23

公开号

CN218896642U

公开日

2023-04-21

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

H01L29_872 , H01L23_31 , H01L23_48 ,

技术画像

所属领域

半导体封装半导体封装功率半导体器件电子器件

应用场景

电子封装, 电源转换, 通信设备, 汽车电子, 工业控制

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摘要

本实用新型公开了一种肖特基二极管自定位封装结构，其包括：绝缘封装基体、肖特基芯片、预埋定位座、第一引脚和第二引脚，所述预埋定位座包括底板、立板、托板和压板，所述立板竖向设置在底板上，所述压板和托板上下间隔设置在立板的正面，所述肖特基芯片设置在立板的正面并位于压板和托板之间，所述第一引脚从肖特基芯片的顶部向下弯折，途径底板左端后向外延伸至绝缘封装基体左侧，所述第二引脚从肖特基芯片的底部向下弯折，途径底板右端后向外延伸至绝缘封装基体右侧。本实用新型所述的肖特基二极管自定位封装结构，提升了肖特基芯、第一引脚和第二引脚在模腔中的定位精度和位置稳定性，提升了产品的合格率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种SBD器件封装散热结构

当前第 / 件

一种半导体器件无损测试装置

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_872)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：114 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

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