发明专利已授权

一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构

Name: 一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构
Brand: 电子科技大学
SKU: 2021112462726
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111246272.6 📄 发布日：2026/05/13

著录项目信息

申请日

2021-10-26

公开号

CN113990926B

公开日

2023-11-24

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 , H01L27_07 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT 电力电子器件

应用场景

新能源汽车, 逆变器, 储能系统, 工业电机驱动, 轨道交通

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摘要

本发明公开了一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，刻蚀RC‑IGBT的集成二极管区域的IGBT栅极与集成二极管阳极之间的部分SiO2氧化层，并利用阻挡层金属将IGBT器件的P型基区与P+发射区短接，同时缩短二极管区域内P+发射区长度，从而降低了集成二极管阳极有效载流子浓度，减小集成二极管阳极载流子注入效率，减少N漂移区在二极管导通中所存储的载流子数量，最终达到降低集成二极管反向恢复电流峰值以及反向恢复损耗的目的。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113990926B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种减小米勒电容的新型RC-IGBT结构

当前第 / 件

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