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本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管，在反向工作状态下形成由两个串联二极管组成的载流子流通路径，使得器件具有反向导通的能力；同时，当器件工作在正向状态时，P型肖特基二极管不会开启，从而消除了电压折回现象。更重要的是，本发明在实现反向导通和消除电压折回现象的同时缩短了器件的长度，从而大幅度的提升了器件的性能：增强了器件的反向恢复特性、使得器件具有更短的反向恢时间，减小了器件的导通压降、优化了IGBT器件导通压降和关断损耗之间的矛盾关系。