发明专利已授权

一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构

Name: 一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构
Brand: 电子科技大学
SKU: 202111246229X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111246229.X 📄 发布日：2026/05/13

著录项目信息

申请日

2021-10-26

公开号

CN113990925B

公开日

2023-11-24

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_861 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件瞬态电压抑制器件功率半导体器件

应用场景

电路保护, 过压保护, 通信设备防护, 汽车电子防护, 工业电子防护

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摘要

本发明公开了一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构，该结构借助薄片工艺，对暂态抑制二极管的结构进行精确的设计与加工，在P+高掺杂区二次注入深结，引入曲率效应，以固定器件的击穿点，避免了器件在边缘及结终端等不期望发生击穿的结构处发生击穿而无法达到预设耐压的问题，从而实现通过调整器件尺寸与垂直掺杂来精确设计器件耐压的效果。相比常规的暂态抑制二极管，本方案所提出结构因在器件体内引入曲率效应，确保器件在体内发生击穿，增大了器件耐压的设计范围并确保了耐压精度。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构

当前第 / 件

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