发明专利已授权

一种减小米勒电容的新型RC-IGBT结构

Name: 一种减小米勒电容的新型RC-IGBT结构
Brand: 电子科技大学
SKU: 2021112512551
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111251255.1 📄 发布日：2026/05/13

著录项目信息

申请日

2021-10-26

公开号

CN113990927B

公开日

2023-11-28

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_423 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

新能源汽车, 光伏发电, 风力发电, 工业电机驱动, 储能系统

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摘要

本发明提供了一种减小米勒电容的新型RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，在沟槽栅下方对应的P型集电区与集电极金属之间增添SiO2氧化层，来增大栅极与集电极间的距离。除此之外，改变RC‑IGBT中IGBT区域的栅极分布，包括沟槽栅与Dummy栅的比例以及栅极之间的间距。通过增大沟槽栅的比率，使沟槽栅底部电势快速提升，当沟槽栅底部电势高于栅极与发射极间电压VGE时，耗尽区将向栅极下方扩展，进一步增大栅极与集电极间的间距，从而减小CGC。CGC的减小使得RC‑IGBT在IGBT工作模式下开启、关断过程中的VCE电压拖尾现象减弱，从而减小RC‑IGBT的开启关断损耗。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113990927B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法

当前第 / 件

一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构

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