发明专利已授权

一种改善反向恢复特性的超结MOSFET

Name: 一种改善反向恢复特性的超结MOSFET
Brand: 电子科技大学
SKU: 2020109948166
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010994816.6 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2020-09-21

公开号

CN111969062A

公开日

2020-11-20

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体超结结构

应用场景

开关电源, 光伏逆变器, 新能源汽车电驱, 工业电源, 功率因数校正

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，涉及一种改善反向恢复特性的超结MOSFET。相对于传统的MOSFET，本发明在P型漂移区和N型漂移区中间引入绝缘介质，同时将P型阱区分隔为位于N型漂移区上的第一P型阱区和位于P型漂移区上的第二P型阱区两个部分。第一P型阱区与源极金属形成肖特基接触。在第二P型阱区内引入一个平面N型MOSFET，器件的N+源区通过一个浮空金属连接到平面N型MOSFET的漏极。N型MOSFET的源极作为本发明器件的源极，而其栅极与本发明器件栅极相连接。器件反向导通时，由于肖特基二极管处于反偏状态，因此与其相连接的N型漂移区一侧体二极管不导通，只有P型漂移区一侧体二极管导通，因此反向导通时漂移区内存储的电荷减少。本发明改善了器件反向恢复特性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210604

✅ 授权

20201208

?? 实质审查的生效：

20201120

📄 公开

一种超结逆导型栅控双极型器件

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：189 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

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