发明专利已授权

一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件

📄 申请号：CN202111139200.1 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2021-09-26

公开号

CN113921611B

公开日

2025-04-25

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_65

IPC 分类号

H10D30_65 , H10D62_10 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件结构 LDMOS器件

应用场景

功率集成电路, 电源管理, 开关电源, 电力电子, 射频功率放大

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摘要

本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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