发明专利已授权

一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件

📄 申请号：CN202210506312.4 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-05-10

公开号

CN115036307B

公开日

2025-06-06

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D84_60

IPC 分类号

H10D84_60

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管

应用场景

电源转换, 逆变器, 电机驱动, 新能源汽车, 工业自动化

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件

当前第 / 件

一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件

同领域国内专利 · IPC: (H10D84_60)

H10D84_60 覆盖1个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：4 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H10D84_60)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

光纤场效应管生物传感器、生物检测装置及方法

一种新型大功率场效应管

一种大电流场效应管

服务项目

资源中心

关于柿子坊