发明专利已授权

一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件

📄 申请号：CN202111506390.6 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2021-12-10

公开号

CN114300537A

公开日

2022-04-08

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_861 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件集成

应用场景

电力电子变换器, 新能源汽车电驱系统, 工业电机驱动, 光伏逆变器, 智能功率模块

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摘要

本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻，体内二极管抽取存储的载流子，减小关断时间和关断损耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件

当前第 / 件

一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

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