发明专利已授权

一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管

📄 申请号：CN201810412675.5 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-05-03

公开号

CN108615785B

公开日

2019-09-27

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_111

IPC 分类号

H01L31_111 , H01L31_0352 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件光控晶闸管半导体器件结构

应用场景

高压直流输电, 柔性直流输电, 静止无功补偿, 大功率电力变换, 电力系统

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摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管。本发明的一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管设计示例，通过改变空穴电流流通路径，使空穴电流绕过阴极左侧电流集中区，来缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的耐电流上升率。另外，本发明的深N+空穴电流阻挡层由于自身的优点，可以根据元胞的具体设计方案进行调整。本发明的有益效果为，提供了一种深N+阻挡层的LTT器件设计，解决了常规的LTT器件因主阴极左侧区电流集中而引起的失效问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190927

✅ 授权

20181030

?? 实质审查的生效：

20181002

📄 公开

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