本发明具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层，其中第四外延层杂质浓度在垂直方向存在由上至下降低的分布趋势，第五外延层分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在第五外延层的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜的高度低于凸台的上端面；在第五外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，独特新颖，可使SiC LTT的开通特性得到更好的改善。
📄 2018102468118
📂 H01L29_74
👤 西安理工大学
📅 2018-03-23
本发明属于印刷电路技术领域，具体涉及一种具有高散热性能的可控硅模块及其工作方法，本具有高散热性能的可控硅模块包括：可控硅阵列单元，其包括：若干可控硅器件组；其中各所述可控硅器件组包括：九个呈矩阵排布的可控硅器件，且形成轴心圈、内圈和外圈；若干水冷头单元，分别与相应可控硅器件组贴合，且包括：上腔室、下腔室、喷流嘴和触发块组；本具有高散热性能的可控硅模块及其工作方法通过触发块组改变喷流嘴的喷射速度，使得喷流嘴可以对下腔室中内圈和外圈对应的区域进行清理气泡和絮状物，从而改善散热效果；同时为了使外圈能够和内圈清理的效果接近，通过触发块组配合降低了喷流嘴朝向外圈的可控硅器件时降低转动，增加清理时长。
📄 2024118861850
📂 H05K7_20
👤 常州东华电力电子有限公司
📅 2024-12-20
本发明公开了一种基于栅电压变化的IGBT健康监测方法，其包括以下步骤：S1、建立老化特征参数数据库，并确定失效阈值电压；S2、获取目标IGBT的工作条件，并实时监测目标IGBT栅极电压；S3、提取目标IGBT开启时栅极电压第四阶段的上升电压；S4、根据目标IGBT的工作条件将第四阶段上升电压与数据库进行比对，判断第四阶段上升电压是否超过失效阈值电压，若是则判定目标IGBT失效，否则判定目标IGBT有效，完成IGBT健康监测。本发明参数检测在器件栅极驱动电路中实施，避免了电力电子系统中的高功率部分，极大降低了监测系统设计难度，隔离简单，且在监测过程中，不影响IGBT器件的正常工作。
📄 202011308353X
📂 G01R31_26
👤 电子科技大学
📅 2020-11-20
本发明公开了一种自校正的IGBT健康监测方法，其包括以下步骤：S1、建立老化数据采集平台；S2、建立原始老化特征数据库；S3、获取目标IGBT在工作环境中的初始状态；S4、获取集电极与发射极间的电压差值；S5、生成校正参数函数；S6、校正原始老化特征数据库；S7、通过将目标IGBT的集电极与发射极间的电压与校正后的老化特征数据库中同工作条件下的集电极与发射极间的电压进行比较，完成IGBT的健康监测。本发明考虑了IGBT个体差异对于Vce,on测量值分析产生的影响，建立了具有校正补偿性的参数函数模型，提高了电力电子系统中对于IGBT参数分析的准确性，减小了由于个体差异引起误差提供了监测精度。
📄 2020113127434
📂 G01R31_26
👤 电子科技大学
📅 2020-11-20
本发明属于电子技术领域，具体的说涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明主要包括由第一直流电源(V1)和负载(ZL)和第一CS‑MCT(T1)构成的主回路、由第一二极管(D1)、第二CS‑MCT(T2)和第三CS‑MCT(T3)，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，换流电容(C)，电感(L)，第三电阻(R)构成的换流回路、由霍尔电流传感器和电压比较器构成的监测单元和栅极控制单元。其特点是：采用具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关，结合监测单元和栅极控制单元可以实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，基于CS‑MCT的固态短路器具有功耗低，响应速度快的优势。
📄 2019110985426
📂 H03K17_04
👤 电子科技大学
📅 2019-11-12
本发明属于电子技术领域，具体的说涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明包括由直流电源VD、第一CS‑MCT(T1)、负载(ZL)构成的主回路、由第二CS‑MCT(T2)，第一电容(C1)和第二电容(C2)，变压器(T)，电阻(R)，二极管(D)构成的换流回路、由压敏电阻(MOV)构成的保护单元、由霍尔电流传感器和电压比较器构成的监测单元和栅极控制单元。其特点是：采用内部固有寄生晶闸管，具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关，结合监测单元和栅极控制单元可以实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，基于CS‑MCT的固态短路器不仅具有中断故障电流的能力，而且具有功耗低，响应速度快的优势。
📄 2022100844635
📂 H03K17_72
👤 电子科技大学
📅 2022-01-24
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管。本发明的一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管设计示例，通过改变空穴电流流通路径，使空穴电流绕过阴极左侧电流集中区，来缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的耐电流上升率。另外，本发明的深N+空穴电流阻挡层由于自身的优点，可以根据元胞的具体设计方案进行调整。本发明的有益效果为，提供了一种深N+阻挡层的LTT器件设计，解决了常规的LTT器件因主阴极左侧区电流集中而引起的失效问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。
📄 2018104126755
📂 H01L31_111
👤 电子科技大学
📅 2018-05-03
本实用新型涉及一种压力接触式封装的晶闸管，包括高氧化铝陶瓷管壳，高氧化铝陶瓷管壳的顶部压合有上管壳，高氧化铝陶瓷管壳的底部压合有下管壳，下管壳与上管壳之间夹有自下向上依次叠置的下钼垫片、下软银箔、硅片、上软银箔和上钼垫片，高氧化铝陶瓷管壳与上管壳、下管壳之间形成的密闭空腔中填充有氮气。有益效果是：利用上软银箔和下软银箔消除表面的不平整度，并改善其热接触性能；上钼垫片和下钼垫片的线性热膨胀系数接近于硅，可以减小上管壳、下管壳与硅片之间的热应力，避免上管壳、下管壳与硅片之间产生空洞，减小晶闸管的阳极和阴极间的热阻；利用氮气对硅片进行保护，提高硅片的抗氧化性能、导热性能。
📄 2022220878470
📂 H01L23_433
👤 广州市晶泰电子科技有限公司
📅 2022-08-09
本实用新型公开了一种双晶闸管固定压盖，包括电路板，电路板的顶部对称设置有硅控整流器，硅控整流器的相对侧且位于电路板的顶部设置有压盖槽，电路板的顶部穿插连接有螺栓，螺栓的顶部且位于硅控整流器的顶部穿插连接有压板，螺栓的外侧且位于压板的顶部套设有螺母，螺栓的外侧且位于压盖槽的顶部套设有弹性板，弹性板的顶部设置有缓冲构件，缓冲构件包括活动板，活动板的顶部设置有压缩弹簧；本实用新型通过螺栓带动压缩弹簧挤压活动板，活动板挤压弹性板，调节弹性板通过活动板对硅控整流器的夹持力，橡胶材质的活动板对硅控整流器柔性挤压，避免硅控整流器上产生压力集中，减少硅控整流器夹持损坏的风险。
📄 2023231608450
📂 H05K5_02
👤 广州市晶泰电子科技有限公司
📅 2023-11-22
本发明提供一种适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法，该方法具体包括以下步骤：采用PEEC法得出每相层叠母排的等效电路；统计每相等效电路中存在的换流路径；根据换流路径得出具有过压风险的暂态耦合电路；将暂态耦合电路中的IGBT触发脉冲接入解耦模块；解耦模块对耦合电路中的IGBT的关断信号进行采集对比，当采集到耦合电路中IGBT关断信号边沿时间差在Δt范围以内时，解耦模块对IGBT的关断信号进行解耦处理。该方法可以有效的解决IGBT共层叠母排中存在的瞬态过压耦合问题，能够有效提高系统的可靠性。
📄 2018101321421
📂 H02M1_32
👤 中国矿业大学
📅 2018-02-09
本实用新型公开了一种高压IGBT变流器模块，包括散热安装板、IGBT单元、驱动电路单元、控制单元以及防护机构；散热安装板一侧固定有若干散热翅片和蛇形水冷管，散热安装板另一侧固定有IGBT单元，IGBT单元包括若干高压IGBT元件和IGBT防护罩，IGBT防护罩顶部固定有驱动电路单元，驱动电路单元包括驱动电路防护罩、支架以及驱动电路板，IGBT防护罩和驱动电路防护罩侧面罩侧面均设置有若干冷却通风件，控制单元固定于IGBT防护罩上，防护机构设置于散热安装板上。采用上述结构的一种高压IGBT变流器模块，结构简单，便于搬运，散热效果好，且具有防护功能。
📄 2021221140267
📂 H02M7_00
👤 保定宸申信息科技有限责任公司
📅 2021-09-02
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