发明专利 已授权

一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片

📄 申请号:CN202310756422.0 📄 发布日:2026/07/08

著录项目信息

申请日
2023-06-25
公开号
CN116759471A
公开日
2023-09-15
申请人
无锡芯光互连技术研究院有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光通信, 数据中心, 光互连, 光传感, 激光雷达

摘要

本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片,该光电探测器包括:间隔预设距离的第一波导和第二波导;第二波导的形状为环形;衬底层,用于进行掺杂;第一掺杂区,在衬底层的设定区域通过掺杂形成;环形光吸收层,位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧,部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面;环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率;环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度,也可以降低光电探测器的寄生参数,提高了光电探测器的带宽。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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