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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201980000338.8 | 专利名称： | 半导体结构及其制作方法 |
| 申请日： | 2019-03-06 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 地址： | ||
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L23/64 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 17 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：高性能计算芯片的多层金属互联优化;5G通信基站射频前端模块的低损耗传输路径构建;人工智能加速器中高密度信号路由实现;三维堆叠存储器的垂直互连结构设计
摘 要：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，能够制作非直线型的沟槽结构，可以在不增大深宽比且维持占地面积不变的情况下，提升沟槽结构表面积。该半导体结构包括：衬底，包括相对设置的上表面和下表面；至少一个沟槽结构，设置于所述衬底，并自所述上表面向下形成；其中，所述沟槽结构在所述上表面的投影形成曲线型或者折线型的第一图案，所述第一图案包括彼此相邻的n个第二图案，所述n个第二图案中奇数位的第二图案相同，且偶数位的第二图案相同，n为正整数。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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