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半导体结构及其制作方法

📄 申请号：CN201980000338.8 📄 发布日：2025/11/12

著录项目信息

申请日

2019-03-06

申请人

深圳市汇顶科技股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

主分类号

H01L23_64

IPC 分类号

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件半导体制造工艺集成电路

应用场景

消费电子, 数据中心, 通信设备, 工业控制, 汽车电子

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摘要

本申请提供一种半导体结构及其制作方法，能够制作非直线型的沟槽结构，可以在不增大深宽比且维持占地面积不变的情况下，提升沟槽结构表面积。该半导体结构包括：衬底，包括相对设置的上表面和下表面；至少一个沟槽结构，设置于所述衬底，并自所述上表面向下形成；其中，所述沟槽结构在所述上表面的投影形成曲线型或者折线型的第一图案，所述第一图案包括彼此相邻的n个第二图案，所述n个第二图案中奇数位的第二图案相同，且偶数位的第二图案相同，n为正整数。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

具有差分架构的2T2R阻变式存储器、MCU及设备

当前第 / 件

电容器及其制作方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：117 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

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