发明专利已授权

集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法

📄 申请号：CN202110402093.0 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2020-01-17

公开号

CN113270517B

公开日

2022-08-02

申请人

淮阴工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_109

IPC 分类号

H01L31_109 , H01L31_0232 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件低维材料光电探测器

应用场景

光通信, 光学传感, 光子集成, 光电探测, 光互联

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摘要

本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法，制备的光电探测器包括：衬底（1），形成于衬底（1）上的光波导（2），设置在光波导（2）的光耦合输入端（3）的1×2光分束器（4），覆盖在光波导（2）表面上的低维材料异质结薄膜（5），在低维材料异质结薄膜（5）两端、光波导（2）两侧还分别覆盖正电极（6）和负电极（7）；低维材料异质结薄膜（5）与光波导（2）的传输方向垂直设置；在光波导（2）与低维材料异质结薄膜（5）的相互作用区，光波导（2）为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221227

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20220802

✅ 授权

20210903

?? 实质审查的生效：

20210817

📄 公开

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