发明专利已授权

基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关

📄 申请号：CN202210652450.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-06-08

公开号

CN115020515B

公开日

2023-04-25

申请人

内江师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0232

IPC 分类号

H01L31_0232 , G02F1_015 ,

技术画像

所属领域

光电器件光电器件半导体器件光电导开关技术

应用场景

脉冲功率技术, 太赫兹产生, 激光触发开关, 高功率微波, 光电检测

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摘要

本发明公开的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，包括有屏蔽盒，屏蔽盒内部设置有多通道导电开关单元，屏蔽盒顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统，位相型触发光栅系统位于多通道导电开关单元上方。该多通道砷化镓光电导开关，能够降低开关的暗态电流，抑制表面闪络的发生，提升开关的耐压能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230425

✅ 授权

20220923

?? 实质审查的生效：

20220906

📄 公开

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