本发明公开了一种基于硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备。其中，所述方法包括：硅基电光调制器设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等，进而在设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等之后，使一载流子区中的电子载流子和另一载流子区中的空穴载流子的迁移达到匹配的效果。通过上述方式，能够实现硅基电光调制器能对调制臂的臂长进行设置来对自身的插损和带宽的影响进行优化。
📄 2018113211403
📂 G02F1_015
👤 三明学院
📅 2018-11-07
本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。
📄 2020109978566
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2020-09-21
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