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| 专利/申请号： | CN201811319994.8 | 专利名称： | 基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备 |
| 申请日： | 2018-11-07 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L31/0232分类检索 其他专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中，所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极，该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光进行耦合，该第三电极与该第二电极之间形成的电场用于对第二耦合区域的其中另一束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。通过上述方式，能够实现硅基锗光电探测器能对入射光经功率分束后的两束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势，从而使硅基锗光电探测器中的光场分布更加均匀，提高硅基锗光电探测器的带宽、饱和特征以及可靠性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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