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摘 要:本发明提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法,包括:提供硅衬底;对所述硅衬底进行电化学刻蚀,使得所述硅衬底上生成均匀的、致密的纳米多孔洞,获得纳米多孔硅衬底;在所述纳米多孔硅衬底上淀积一层锗薄膜;对所述纳米多孔硅上外延锗薄膜后进行高温退火,在锗硅异质结界面处空洞发生串并;将所述锗薄膜从所述纳米多孔硅衬底上剥离下来。本发明实施例提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法,制备工艺简单可行,且有效的降低了制作锗薄膜的成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910088551.0 | 专利名称: | 一种自支撑锗薄膜的制备方法及锗薄膜 |
申请日: | 2019-01-28 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/02搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |