发明专利已授权

一种制备T相铁酸铋薄膜的方法

📄 申请号：CN201610040335.5 📄 发布日：2025/09/15

著录项目信息

申请日

2016-01-21

申请人

重庆科技学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_0445 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

铁电材料铁电材料薄膜制备工艺功能陶瓷

应用场景

铁电存储器, 微电子器件, 传感器, 光电器件

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摘要

本发明公开了一种制备T相铁酸铋薄膜的方法，采用溶胶-凝胶法制备外延生长的T相铁酸铋薄膜，制得的铁酸铋薄膜没有杂相，方法简单，成本较低。而且在T相铁酸铋薄膜上用脉冲激光沉积法同时制备材料相同的中心电极和边缘电极，得到具有体光伏效应的铁酸铋薄膜器件。能够消除铁酸铋薄膜器件的光伏效应中退极化场的贡献、肖特基势垒的贡献以及畴壁的贡献，仅仅是本征的体光伏效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210101

?? 专利权的转移：

20171117

✅ 授权

20160720

?? 实质审查的生效：

20160622

📄 公开

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当前第 / 件

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