本发明涉及一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料为钙钛矿型结构，其化学通式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3，其中：0.01≤x≤0.10，0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0，所述的单晶采用坩埚下降法或高温溶液法生长而成。本发明克服了现有技术中PMN-PT单晶存在的三方-四方相变温度太低和PSN-PT单晶存在的结晶比较困难、难以批量生长的缺陷，单晶同时具有高的压电常数和高的三方-四方相变温度，能够广泛应用于超声换能器、水声换能器、传感器。
📄 2014100656576
📂 C30B29_22
👤 西安工业大学
📅 2014-02-26
本发明涉及一种控制铁电晶体电畴的方法和装置，本发明的方法依次包括以下步骤：一.将铁电晶体温度升至相变温度以上200至1000摄氏度之间，保温时间10~20分钟；二.沿垂直于电极方向施加强度大于两倍矫顽场的电压，同时将电流控制在1至3毫安，保持10~20分钟；三.以小于2摄氏度/分钟的速率降温，同时调整外置电场强度，使其一直处于两倍矫顽场以上，最后降温至室温；本发明的装置，包括高精度温控炉、高精密线性电流电压源、系统保护电路和设置于高精度温控炉中的夹具模块。本发明避免了畴工程化铁电晶体内部微裂纹问题，通过精确控制减小电畴尺寸，可使其温度稳定性得到提高，最终有效提高了铁电晶体压电效应。
📄 2015102622615
📂 C21D10_00
👤 西安工业大学
📅 2015-05-21
本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3‑(1‑x‑y‑z)PbZrO3，其中：0.04≤x≤0.06，0.50≤y≤0.60，0.30≤z≤0.35，1‑x‑y‑z≠0，属于复合钙钛矿结构。本发明在PMN‑PT体系中引入铌钪酸铅（PSN）和锆酸铅（PZ），将其改为四元体系PSN‑PMN‑PT‑PZ，一方面与PMN‑PT相比，在不降低压电性能的前提下可有效地提高TR‑T；另一方面与PSN‑PT相比，能够极大地减少Sc2O3的用量，降低成本，同时可以降低材料熔点，使晶体生长变得容易。
📄 2015106275144
📂 C30B29_22
👤 西安工业大学
📅 2015-09-28
本发明属于铁酸铋薄膜技术领域，公开了一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法，带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法包括：利用镍酸镧作为底电极材料，在四方相铁酸铋和铝酸镧之间引入底电极，制备复合膜。本发明通过引入较薄的镍酸镧层作为底电极，为超四方相铁酸铋的应用提供更多空间，而且不含环境污染型材料，贵金属，适于大规模使用。本发明以铝酸镧，采用镍酸镧作为底电极材料，实现了带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜的制备，制备过程简单，材料不太昂贵，效果较好。本发明采用镍酸镧作为铁电薄膜的底电极可以极大程度增强铁电薄膜器件的抗疲劳特性。
📄 2021114930699
📂 C23C14_28
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2021-12-08
本发明公开了一种中心型极化拓扑畴的构建方法，包括如下步骤：S1：脉冲激光沉积法制备BiFeO3薄膜样品，S2、以AAO为模板，氩离子束穿过AAO模板孔洞对薄膜进行刻蚀，获得高密度锥形“火山状”的纳米点阵列，并进行物相表征；S3、采用PFM表征对纳米点阵列获得自发的极化拓扑畴，通过PFM针尖电场写入将极化方向翻转，并对结果进行矢量PFM表征；S4、重组极化矢量获得三种不同类型的中心型极化拓扑畴。本发明构建了三种不同类型且更小的拓扑畴从而获得更高的存储密度，这种高密度、稳定、可调控的极化拓扑畴阵列可用于铁电随机存取存储器件。
📄 2022114034879
📂 C23C14_28
👤 淮阴工学院
📅 2022-11-10
本发明公开了一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法，属于纳米铁电材料制备和微纳表征技术领域，通过离子束刻蚀铁电薄膜获得高密度纳米点阵列；借助于矢量压电力显微术表征获得铁电拓扑畴的畴结构；使用导电原子力显微镜观测到纳米点中的导电通道，二维电流图像表明单个纳米点中的导电区域为几十纳米，这些导电通道具有类似于金属导电的特性；联合压电力显微镜和导电原子力显微镜获得极化对导电性的调控；可用于开发非易失性的、高密度的铁电随机存取存储器；纳米点的中心型畴结构为研究铁电拓扑畴及拓扑材料提供方案；同时，纳米点的导电性可以通过极化翻转进行调控，提供的表征方法可以将这种调控可视化，提升数据的直观性、可靠性。
📄 2019107432136
📂 G01Q60_02
👤 淮阴工学院
📅 2019-08-13
本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液，再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长，其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2～3个数量级，显著降低了BFO薄膜的漏电流密度，改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶‑凝胶法制备薄膜，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。
📄 201610890214X
📂 C03C17_34
👤 陕西科技大学
📅 2016-10-12
本发明提供了一种HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.96Mn0.03Ni0.01O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Ni0.02O3超晶格薄膜，即HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
📄 2017102543203
📂 C03C17_25
👤 陕西科技大学
📅 2017-04-18
本发明提供了一种LaSrMnCo/GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.85La0.12Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.85Gd0.12Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜，即LaSrMnCo/GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
📄 201710254712X
📂 C03C17_34
👤 陕西科技大学
📅 2017-04-18
本发明提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法，该复合膜包括复合在一起的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电膜和Zn1‑xMnxFe2O4磁性膜；先在基片上旋涂制备多层Zn1‑xMnxFe2O4磁性薄膜，然后在磁性薄膜上旋涂制备多层Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3膜，得到该复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，用多种元素掺杂对铁电膜晶体结构进行调控改善薄膜的铁电性能，提高铁电测试和漏电流测试的抗击穿性能，同时用强磁性尖晶石结构的Zn1‑xMnxFe2O4作为磁性层，获得优异磁电耦合性能的复合薄膜。
📄 2017102539621
📂 C03C17_34
👤 深圳立专信息科技有限公司
📅 2017-04-18
本发明提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.96Mn0.03Zn0.01O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3超晶格薄膜，即HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
📄 2017102539636
📂 C03C17_34
👤 陕西科技大学
📅 2017-04-18
本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同La浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.94La0.03Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.91La0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜，即LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
📄 2017102539462
📂 C03C17_34
👤 陕西科技大学
📅 2017-04-18
柿子坊 · 知识产权运营
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