发明专利已授权

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法

Name: 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法
Brand: 徐州新南湖科技有限公司
SKU: 2014101920044
Availability: InStock

📄 申请号：CN201410192004.4 📄 发布日：2026/08/11

著录项目信息

申请日

2014-05-07

公开号

CN103972329B

公开日

2016-04-27

申请人

徐州新南湖科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18

技术画像

所属领域

薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池缓冲层材料化合物半导体

应用场景

光伏发电, 薄膜太阳能电池组件制造, 清洁能源, 建筑一体化光伏

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摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片，直径1.3cm，厚度2mm，然后在氮气保护下800oC或1000oC度烧结，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜，该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190806

?? 专利权的转移：

20160427

✅ 授权

20140903

?? 实质审查的生效：

20140806

📄 公开

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