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本发明公开了一种便于维护的高强度柔性薄膜太阳能路灯，包括灯杆、底座、太阳能板以及通过螺栓相固定的灯罩和透明板，所述灯杆内具有竖直状的空腔，且空腔内设有移动块，所述灯杆上设有驱动移动块在竖直方向上移动的驱动件，所述移动座上贯穿有移动筒。本申请中，驱动件用于驱动丝杆转动，移动座在竖直方向上移动的过程中，在移动销和调节槽的作用下，移动筒带动灯罩和透明板在前后方向上进行移动，使得齿轮分别与齿排一和齿排二啮合，使得灯罩和透明板在向下移动的同时发生翻转，螺栓朝上，工作人员不需要仰头即可对螺栓的拆卸，操作起来更加方便，而且该装置的结构简单，电器元件少，不易损坏，稳定性高。

本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。

本发明涉及一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法，其包括如下步骤：(1)衬底的清洗；(2)前驱体溶液的制备；(3)Cu2ZnSnS4纳米墨水的制备；(4)Cu2ZnSnS4预制薄膜的制备，在惰性气氛下烘干并退火处理，制备结晶性较好的Cu2ZnSnS4薄膜。本发明所提供的微波法一步制备水性Cu2ZnSnS4纳米墨水具有低成本，环保，工艺简单且稳定性好的优点，并可以解决制备纳米颗粒后再制备纳米墨水易团聚的问题。本发明通过涂覆法将纳米墨水制备成薄膜，无需在硫化气氛退火，只需在惰性气氛退火处理即可得到高质量的Cu2ZnSnS4薄膜。

本发明公开了一种新型带隙可调碘铋银铜化合物薄膜、太阳能电池器件及其制备方法。本发明首先利用磁控溅射辅助原位反应方法将Bi、Cu、Ag三种金属单质以一定次序溅射到基底上，加入碘粒反应原位构筑了CuaAgm1Bim2In/CuI复合薄膜，成功实现了碘铋银铜化合物半导体材料带隙在一定范围内可调控，并实现了其光电转换效率显著提高。CuaAgm1Bim2In复合薄膜具有优异的光伏性能，由其作吸收层构建的太阳能电池器件光电转换效率明显提升，最高可达到2.12％。该材料及器件制备过程工序简单，反应温度低，价格低廉、绿色环保，制备的薄膜致密，在商业化应用方面具有较大的潜力。

本发明公开了基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池，从下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层和金属电极，吸光层为Mg掺杂硫化锑薄膜；还公开了制备方法，包括：①清洗氧化物透明导电衬底并烘干；②电子传输层的制备；③吸光层的制备：将含Mg元素的硫化锑前驱体溶液旋涂于电子传输层上，加热生成Mg掺杂硫化锑；重复旋涂与加热反应步骤调节Mg掺杂硫化锑薄膜厚度；在惰性气体环境下退火使Mg掺杂硫化锑薄膜结晶得无机吸光层；④电极的制备。本发明的薄膜太阳能电池吸光性好、电池短路电流高、设备转化效率明显改善，Mg掺杂使薄膜更光滑、均匀、致密，减少载流子的复合；本发明的方法原料和工艺简单、设备要求低。

本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域，尤其涉及一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，得到Sb2(S,Se)3前驱膜；S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密，体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2(S,Se)3薄膜，可提高太阳能电池的光电转换效率。

本发明涉及CIGS薄膜太阳能电池制备技术领域，且公开了一种CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备方法，将平均粒径≤150um的金属Mo粉与均一分散的玻璃粉粘结相加入到无机载体溶剂高模数硅酸钾溶液中，在无机分散剂硅酸钠和无机防沉剂气相二氧化硅的共同作用下，金属Mo粉在浆料中呈均匀分散状态，即制备得到金属Mo浆，将金属Mo浆，在不改变沉积气压的条件下，在同一工作室内连续涂布在玻璃衬底上，之后，进行固化处理，制备得到CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极。本发明解决了目前CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备方法，无法在不改变沉积气压的条件下，在同一工作室内实现连续沉积Mo薄膜，以实现玻璃衬底与Mo薄膜强结合力和低电阻率要求的技术问题。

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片，直径1.3cm，厚度2mm，然后在氮气保护下800oC或1000oC度烧结，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜，该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。