发明专利 已授权

一种微波制备Si2N2O结合碳化硅陶瓷的方法

📄 申请号:CN202210852946.5 📄 发布日:2026/11/10

著录项目信息

申请日
2022-07-20
公开号
CN115368138A
公开日
2022-11-22
申请人
洛阳理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

高温结构材料, 耐磨材料, 耐火材料, 冶金工业, 航空航天热防护

摘要

本发明提供了一种微波制备Si2N2O结合碳化硅陶瓷的方法,按照二氧化硅和碳化硅的摩尔比为1:1~20称取硅源和碳化硅,氮源以混料或烧结气氛的形式添加;将其均匀混合后,按照一定的成型方法制得坯体;将坯体置于微波烧结炉中,在氮气或真空的气氛保护下,以0.1~3KW/min的速度提升输入功率,升温至900~1200℃后,保温0~30min,硅源和氮源反应生成Si2N2O,实现Si2N2O结合碳化硅陶瓷的烧成。本发明借助微波烧结时碳化硅自身的发热实现烧结,Si2N2O的热震稳定性和抗氧化性能良好;加热过程减少热能损耗,能源利用率高,Si2N2O受热结合均匀度好,制备的Si2N2O结合碳化硅制品强度高,抗腐蚀性好,具有广阔的应用前景。

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图1
图2
图3

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