发明专利已授权

一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用

Name: 一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用
Brand: 济南大学
SKU: 2023115742569
Availability: InStock

📄 申请号：CN202311574256.9 📄 发布日：2026/11/05

著录项目信息

申请日

2023-11-23

公开号

CN117613140B

公开日

2024-06-28

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_09 , H01L31_032 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料光电材料二维材料

应用场景

光电探测器, 光通信, 图像传感, 红外探测, 光学传感

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摘要

本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种原位负载污泥的碳基电催化剂及其制备方法

当前第 / 件

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