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基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法

Name: 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法
Brand: 济南大学
SKU: 2023114614703
Availability: InStock

📄 申请号：CN202311461470.3 📄 发布日：2026/11/05

著录项目信息

申请日

2023-11-06

公开号

CN117855322B

公开日

2024-06-11

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_109 , H01L31_032 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料光电探测器二维材料异质结

应用场景

光通信, 光电传感, 图像传感, 光谱检测, 环境监测

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摘要

本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN117855322B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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