发明专利 已授权

带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

📄 申请号:CN201711032851.4 📄 发布日:2026/11/03

著录项目信息

申请日
2017-10-30
公开号
CN107680997A
公开日
2018-02-09
申请人
济南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

功率集成电路, 电源管理, 射频功率放大, 汽车电子, 工业电源

摘要

本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区,在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板,相邻两个可调型场板之间间隔设定距离;每一个可调型场板均连接调节电容;通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸,能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位,使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布,具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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