发明专利已授权

一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件

📄 申请号：CN202211392381.3 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-11-08

公开号

CN115621303A

公开日

2023-01-17

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_423 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 风力发电, 工业变频器, 储能变流器

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摘要

本发明涉及一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件集成的辅助耗尽栅由栅极氧化层、多晶硅栅极组成，其特点在于辅助耗尽栅与主栅短接在一起，对其施加电压可以耗尽漂移区P柱形成自适应的电阻。本发明的突出优势主要有两点。第一，正向导通功耗降相比于传统SJ‑IGBT器件低了21％。第二，关断损耗相比传统RC‑IGBT器件降低了53％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件

当前第 / 件

一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

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