发明专利已授权

一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件

📄 申请号：CN202310562730.X 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2023-05-18

公开号

CN116344605A

公开日

2023-06-27

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件横向绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

功率集成电路, 电源管理, 电机驱动, 光伏逆变器, 新能源汽车

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摘要

本发明涉及一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑CS区、P‑shield区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑shield区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑CS区作为衬底。其中自偏置PMOS的栅极和漏极通过金属电极短接在一起从而实现了自偏置功能，栅氧化层与普通NMOS的栅氧化层处于同一平面无需额外制造工艺，便于集成。本发明关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了24％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系；同时本发明的抗短路性能优异，在外加短路电压为150V时，器件短路工作时间为14.8μs。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件

当前第 / 件

一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

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