发明专利已授权

一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件

📄 申请号：CN202211318477.5 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-10-26

公开号

CN115458593B

公开日

2026-02-24

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D12_00

IPC 分类号

H10D12_00 , H10D62_10 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体集成电路功率开关器件

应用场景

电源管理, 开关电源, 新能源汽车逆变器, 光伏逆变器, 工业变频器

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摘要

本发明涉及一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P型埋层、普通MOS区、自偏置PMOS区以及阳极区。衬底、埋氧层、漂移区自下而上依次设置，P型埋层设置在漂移区内，被漂移区完全包裹。普通MOS区与自偏置PMOS区相邻，阳极区位于器件的右上侧。本发明通过集成自偏置PMOS区域能够在阳极电压增加时，降低器件的饱和电流；在器件关断时降低器件的关断损耗；在短路工作时提高器件的短路工作特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件

当前第 / 件

一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件

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