发明专利已授权

一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件

📄 申请号：CN202411607957.2 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2024-11-12

公开号

CN119451182A

公开日

2025-02-14

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_66

IPC 分类号

H10D30_66

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 SiC MOSFET 半导体器件结构

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 工业电源, 智能电网

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摘要

本发明涉及一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底一表面的漂移区；形成于漂移区表面的N‑CSL；形成于N‑CSL表面一侧的低势垒二极管；形成于N‑CSL表面另一侧的第二P‑well；形成于低势垒二极管表面且位于低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅；形成于N‑CSL表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的P‑base；形成于P‑base表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的源极N+区；形成于器件顶部的源极电极；形成于衬底另一表面的漏极电极。本发明可降低器件的比导通电阻，降低器件的密勒电容和栅极电荷，提高器件开关速度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件

当前第 / 件

一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件

同领域国内专利 · IPC: (H10D30_66)

H10D30_47 H10D30_60 H10D30_65 H10D30_66 覆盖4个领域

议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：3 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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