发明专利已授权

一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号：CN202410420569.7 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2024-04-09

公开号

CN118324527B

公开日

2026-02-24

申请人

成都信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_50

IPC 分类号

C04B35_50 , C04B35_622 , C04B35_453 ,

技术画像

所属领域

介质陶瓷材料微波介质陶瓷电子陶瓷高熵陶瓷介质陶瓷材料

应用场景

5G通信, 微波通信, 卫星通信, 介质谐振器, 微波滤波器

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摘要

本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种预破碎的陶瓷原料加工破碎装置

当前第 / 件

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