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一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件

📄 申请号：CN201310751138.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-12-30

公开号

CN103681789B

公开日

2016-08-24

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件射频开关 SOI工艺

应用场景

射频通信, 无线通信, 移动通信, 射频前端, 通信设备

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摘要

本发明公开了一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP(N)-MOSFET器件源漏区进行改造，在源和漏区制造PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间植入N（P）型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏极施加直流电压的隔离，通过体、背栅偏置设置、通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通状态，前栅P(N)-MOSFET漏区交流信号会耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，当背栅MOSFET工作于放大状态时，前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，形成超低、零损耗射频开关。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件

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