发明专利已授权

基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件

📄 申请号：CN201310751571.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-12-30

公开号

CN103700702B

公开日

2016-08-24

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_10 , H01L29_08 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件射频开关 SOI工艺

应用场景

射频通信, 无线通信, 移动通信终端, 射频前端, 射频开关电路

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摘要

本发明公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏区施加直流偏置的隔离，通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通，前栅P-MOSFET漏区交流信号耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅P-MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，超低损耗射频开关；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，或当背栅MOSFET工作于放大状态时，则前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，使得损耗进一步降低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

在线监测超临界体系的高压紫外可见近红外光谱装置

当前第 / 件

一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：28 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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