发明专利已授权

一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管

📄 申请号：CN201410122853.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-03-28

申请人

南京模数智芯微电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_107

IPC 分类号

H01L31_107 , H01L31_0352 ,

技术画像

所属领域

雪崩光电二极管雪崩光电二极管 CMOS图像传感器半导体光电器件

应用场景

光通信, 激光雷达, 单光子探测, 医疗成像, 工业检测

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摘要

本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于CPLD的液晶显示装置及其显示方法

当前第 / 件

一种1-丁烯分离纯化的节能工艺流程

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