雪崩光电二极管 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

发明已授权

本发明公开了雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法，利用微亨级电感产生的反冲电压，通过对待测对象的电源输入端注入感性冲击能量，强制待测对象进入超过其击穿电压的深度雪崩状态；在所述深度雪崩状态的持续时间内，同步触发高速相机采集待测对象的瞬态电致发光光强分布图像，并同步记录电学波形；通过并联于待测对象的钳位保护电路提供过压保护。本发明解决了现有光电器件的静态测试方法无法模拟动态感性浪涌、传统功率器件UIS测试能量过大导致微小光电器件烧毁、现有手段无法对模组内部失效点进行可视化定位、依赖人工进行失效分析无法适应大规模量产筛选等技术难题。

📄 2026104642382 📂 G01R31_26 👤 龙岩学院 📅 2026-04-09

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一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管

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本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。

📄 2014101228532 📂 H01L31_107 👤 南京模数智芯微电子科技有限公司 📅 2014-03-28

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