发明专利已授权

高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用

📄 申请号：CN201610059866.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-01-28

公开号

CN105702805B

公开日

2018-02-06

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_028 ,

技术画像

所属领域

硅材料硅材料激光钝化半导体工艺

应用场景

太阳能电池制造, 光伏发电, 半导体器件, 硅晶圆加工, 材料缺陷修复

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摘要

本发明公开高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用。该方法是将去除表面的杂质和氧化层后的低价格硅材料制作成硅材料上表面带有SiNx:H钝化层的硅电池：然后利用激光选择性扫描硅电池高复合区，从而使高复合区的电学性质得到提高。上述方法可以直接处理太阳能硅电池。本发明钝化后低价格硅电池具有很高的稳定性，一般的热处理小于250℃不会影响激光增强的氢气钝化的效果。本发明可直接施加在制造太阳能电池的最后一步，避免了氢气钝化与其他太阳能电池制造步骤不兼容的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：42 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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