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本发明公开高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用。该方法是将去除表面的杂质和氧化层后的低价格硅材料制作成硅材料上表面带有SiNx:H钝化层的硅电池：然后利用激光选择性扫描硅电池高复合区，从而使高复合区的电学性质得到提高。上述方法可以直接处理太阳能硅电池。本发明钝化后低价格硅电池具有很高的稳定性，一般的热处理小于250℃不会影响激光增强的氢气钝化的效果。本发明可直接施加在制造太阳能电池的最后一步，避免了氢气钝化与其他太阳能电池制造步骤不兼容的问题。

📄 2016100598669 📂 H01L31_18 👤 杭州电子科技大学 📅 2016-01-28

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高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用

2016100598669 · 杭州电子科技大学

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