发明专利已授权

一种多晶硅表面陷光微结构的加工方法

📄 申请号：CN201610321459.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-05-16

公开号

CN105932096B

公开日

2017-12-29

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18

技术画像

所属领域

微纳加工微纳加工太阳能电池表面处理

应用场景

光伏电池, 太阳能电池, 光电转换

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摘要

本发明属于多晶硅绒面加工技术领域，具体涉及一种多晶硅表面陷光微结构的加工方法。该加工方法具体步骤如下：步骤一、配制腐蚀溶液，然后将多晶硅置于腐蚀溶液中进行化学腐蚀加工多晶硅表面；步骤二、启动超声相控阵列设备，超声相控阵列产生的超声波在腐蚀溶液中传播并产生声辐射力，所述声辐射力控制腐蚀溶液中的腐蚀粒子朝着聚焦区域集中，所述聚焦区域能偏转，所述聚焦区域的偏转采用相控阵超声波束的时空控制实现，能定向加工多晶硅表面，得到多晶硅表面陷光微结构。本发明的加工方法工艺简单，将化学腐蚀与超声相控阵列进行复合，并通过超声相控阵列声束的偏转和聚焦对多晶硅表面定位加工，适应性好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：32 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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