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一种基于深N阱结构的单光子雪崩二极管及其制作工艺

Name: 一种基于深N阱结构的单光子雪崩二极管及其制作工艺
Brand: 江苏冉洋芯电子科技有限公司
SKU: 201710058637X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710058637.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-01-23

公开号

CN106847960B

公开日

2019-04-09

申请人

江苏冉洋芯电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_107 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件单光子探测器 CMOS集成电路工艺

应用场景

量子通信, 激光雷达, 医疗成像, 光子计数, 荧光寿命测量

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摘要

本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN106847960B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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