发明专利已授权

一种四元共蒸AIGS薄膜及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201810615945.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-06-14

公开号

CN108831939B

公开日

2020-04-07

申请人

河南金为信新能源科技开发有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0392

IPC 分类号

H01L31_0392 , H01L31_0445 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池化合物半导体薄膜真空蒸镀工艺

应用场景

光伏发电, 薄膜太阳能电池, 太阳能电池光吸收层

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摘要

本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20260210

?? 专利权的转移：

20260130

?? 专利权的转移：

20200407

✅ 授权

20181211

?? 实质审查的生效：

20181116

📄 公开

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