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发明专利
已授权
一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法
📄 申请号:CN201810884251.9
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-08-06
公开号
CN109216509B
公开日
2021-02-12
申请人
西安理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_20
IPC 分类号
H01L31_20
,
H01L31_068
,
技术画像
所属领域
太阳电池
太阳能电池
异质结电池
背接触结构
太阳电池
应用场景
光伏发电, 高效光伏组件, 分布式光伏, 集中式光伏电站, 可再生能源
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摘要
本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法。在经过清洗、去损伤层、制绒的单晶硅基体的正面依次沉积本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层;在电池背面沉积本征非晶硅背钝化层;在背钝化层的表面以掩膜法沉积P型非晶硅层,然后直接沉积P型非晶硅层和N型非晶硅层之间的绝缘隔离层,并采用光刻法按预设的绝缘隔离层宽度进行刻蚀;进一步以掩膜法沉积背面N型非晶硅层;最后采用掩膜工艺依次沉积透明导电薄膜、金属膜形成接触层,完成本发明的太阳电池制备。本发明提高了HBC单晶硅太阳电池背面结构图形的制备工艺精度,减小了隔离层宽度,提高了光生载流子的收集概率和HBC太阳电池的短路电流密度。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20231208
?? 专利权的转移 :
20210212
✅ 授权
20190212
?? 实质审查的生效 :
20190115
📄 公开
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