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本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法。在经过清洗、去损伤层、制绒的单晶硅基体的正面依次沉积本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；在电池背面沉积本征非晶硅背钝化层；在背钝化层的表面以掩膜法沉积P型非晶硅层，然后直接沉积P型非晶硅层和N型非晶硅层之间的绝缘隔离层，并采用光刻法按预设的绝缘隔离层宽度进行刻蚀；进一步以掩膜法沉积背面N型非晶硅层；最后采用掩膜工艺依次沉积透明导电薄膜、金属膜形成接触层，完成本发明的太阳电池制备。本发明提高了HBC单晶硅太阳电池背面结构图形的制备工艺精度，减小了隔离层宽度，提高了光生载流子的收集概率和HBC太阳电池的短路电流密度。

本发明提供了一种感应结太阳电池及其制备方法。具体的，本发明提供了一种太阳电池，包括P型半导体衬底；下电极，所述下电极位于所述P型半导体衬底的背表面上；感应层，所述感应层自下而上包括过渡层、电荷增强层和抗反射层，且固定电荷密度达到1013cm‑2量级，所述过渡层包括氧化硅或者氮氧化硅薄膜，所述电荷增强层包括氯化铷、氯化钙、氯化钾和氯化镁一种或几种，所述抗反射层包括氮化硅薄膜；上电极，所述上电极位于所述感应层的上方。本发明的太阳电池以无毒的碱金属氯化物为电荷增强层，可以极大提高抗反射层中固定电荷密度，同时降低界面态密度，钝化性能优异，制备方法简单，同时，可极大降低太阳电池的生产成本。

本发明提供了一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，依次包括以下步骤：1)清洗硅片；2)制备中间层薄膜；3)氧化退火；4)制备AZO薄膜；5)制备背电极；6)安装掩模板；7)制备前电极；8)移除掩模板；9)还原退火，形成太阳能电池，p-Si/n-ZnO结构的太阳能电池以硅片作为衬底，中间层薄膜，正面N型AZO薄膜，前电极和背电极，各太阳能电池结构均采用磁控溅射技术，工艺简单，成本低，操作方便；采用的界面修饰方法简单，工艺过程及手段，操作方便，成本低；采用该界面修饰方法后能提高Si/ZnO异质结太阳电池转换效率。