发明专利已授权

一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池

📄 申请号：CN201910621673.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-07-10

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_076 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

太阳能电池技术太阳能电池技术半导体光电器件氮化物半导体材料

应用场景

光伏发电, 空间太阳能电池, 聚光光伏系统, 光电转换器件

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摘要

本发明公开一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，包括一衬底；衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上面的一侧有一低于n型掺杂GaN层的上表面的台面，n型掺杂GaN层上依次层叠设有AlGaN势垒层Ⅰ、超晶格层、非故意掺杂GaN缓冲层、量子阱吸收层、AlGaN势垒层Ⅱ和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层的台面设有n型电极。本发明通过在多量子阱两边插入AlGaN层，有效增强了多量子阱界面陡峭性，提高了界面质量，光电转换效率达到1.432％，相比传统太阳能电池提高了138.7％,具有美好的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

一种新能源汽车电池的平压定型设备

当前第 / 件

Al-Cr涂层制备及表面微变形方法及Al-Cr涂层表面微变形装置

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