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本发明公开一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池,包括一衬底;衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层,n型掺杂GaN层上面的一侧有一低于n型掺杂GaN层的上表面的台面,n型掺杂GaN层上依次层叠设有AlGaN势垒层Ⅰ、超晶格层、非故意掺杂GaN缓冲层、量子阱吸收层、AlGaN势垒层Ⅱ和p型掺杂GaN层,p型掺杂GaN层上设有多个p型电极,p型电极之间通过透明电极层连接;n型掺杂GaN层的台面设有n型电极。本发明通过在多量子阱两边插入AlGaN层,有效增强了多量子阱界面陡峭性,提高了界面质量,光电转换效率达到1.432%,相比传统太阳能电池提高了138.7%,具有美好的应用前景。
📄 2019106216731 📂 H01L31_0352 👤 陕西科技大学 📅 2019-07-10
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本发明公开了一种新型场钝化暨高可靠性光伏组件,包括箱体,所述箱体内壁滑动连接有辅助结构,所述箱体内壁滑动连接有防水层,所述防水层顶端固定连接有挡板,所述防水层底端固定连接有盖板,所述盖板左侧固定连接有滑杆,所述滑杆左侧固定连接有第一电机,所述箱体内壁固定连接有液压杆,一种新型场钝化暨高可靠性光伏组件通过设有防水层和盖板,在夜晚或者天气情况不好时,防水层可以有效阻止水分渗入光伏组件内部,防止因潮湿环境导致的电池短路、腐蚀等问题影响光伏组件的光电转换率,而盖板则能够阻挡尘埃、沙土,一定程度上保持设备表面的整洁,保障表面对光线的吸收更加充分,从而提高光电转化率。
📄 2024113144777 📂 H02S20_32 👤 南京晶元新能源科技有限公司 📅 2024-09-20
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本发明涉及染料敏化太阳能电池领域,公开了一种用于染料敏化太阳能电池的钴/镍/钴镍基硒化物光子晶体对电极,S1:将单分散聚苯乙烯小球通过恒温垂直沉积法自组装到导电玻璃上形成胶体晶体;S2:通过电化学沉积方法将钴/镍/钴镍沉积填充到所述胶体晶体内部得复合胶体晶体;S3:去除所述复合胶体晶体中的聚苯乙烯小球,得钴/镍/钴镍光子晶体;S4:使用溶剂热法在所述钴/镍/钴镍光子晶体内引入硒源,得钴/镍/钴镍基硒化物光子晶体。本发明中的钴/镍/钴镍光子晶体与导电玻璃的结合能力较好,对电极中催化活性位点数目较多,电解质扩散速度较快,其功函数与电解质电位匹配较好,以其作对电极的染料敏化太阳能电池能量转换效率较高。
📄 2017107770650 📂 H01G9_20 👤 淮阴工学院 📅 2017-09-01
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发明 已授权

一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池

2019106216731 · 陕西科技大学
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发明 已授权

一种场钝化暨光伏组件

2024113144777 · 南京晶元新能源科技有限公司
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