发明专利已授权

一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法

📄 申请号：CN201911096777.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-11-12

公开号

CN110698195B

公开日

2022-05-17

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_475

IPC 分类号

C04B35_475 , C04B41_88 ,

技术画像

所属领域

压电陶瓷压电陶瓷功能陶瓷高温陶瓷材料

应用场景

高温传感器, 压电执行器, 能量收集, 航空航天, 工业自动化

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摘要

本发明公开了一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法，采用CaBi4Ti4O15体系压电材料为基础，在Ti位按照一定的摩尔比掺入Mn、Ta，采用固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为CaBi4Ti4‑x(Mn1/3Ta2/3)xO12，其中0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于时序行为检测的工作流识别方法

当前第 / 件

一种基于卷积神经网络的铜箔基板缺陷检测方法

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C04B35_00 C04B35_01 C04B35_04 C04B35_043 C04B35_057 C04B35_10 C04B35_101 C04B35_103 C04B35_106 C04B35_14 C04B35_16 C04B35_185 C04B35_19 C04B35_195 C04B35_20 C04B35_22 C04B35_26 C04B35_30 C04B35_38 C04B35_40 C04B35_42 C04B35_44 C04B35_443 C04B35_447 C04B35_45 C04B35_453 C04B35_46 C04B35_462 C04B35_465 C04B35_468 C04B35_47 C04B35_472 C04B35_475 C04B35_48 C04B35_488 C04B35_49 C04B35_491 C04B35_495 C04B35_497 C04B35_50 C04B35_505 C04B35_515 C04B35_52 C04B35_524 C04B35_528 C04B35_532 C04B35_547 C04B35_553 C04B35_56 C04B35_563 C04B35_565 C04B35_571 C04B35_573 C04B35_577 C04B35_58 C04B35_581 C04B35_582 C04B35_583 C04B35_5831 C04B35_5833 C04B35_5835 C04B35_584 C04B35_596 C04B35_597 C04B35_599 C04B35_622 C04B35_626 C04B35_628 C04B35_63 C04B35_632 C04B35_634 C04B35_64 C04B35_66 C04B35_74 C04B35_76 C04B35_80 C04B35_81 C04B35_83 覆盖78个领域

议价

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