发明专利已授权

一种宽稳定性窄带铌酸钾钠基铁电陶瓷材料及其制备方法

Name: 一种宽稳定性窄带铌酸钾钠基铁电陶瓷材料及其制备方法
Brand: 西安工业大学
SKU: 2020100364573
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010036457.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-14

公开号

CN111153697A

公开日

2020-05-15

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495 , C04B35_622 , C04B35_63 , C04B41_88 ,

技术画像

所属领域

铁电陶瓷铁电陶瓷电子陶瓷钙钛矿结构材料

应用场景

电子元器件, 传感器, 信息存储, 压电器件, 能量储存与转换

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摘要

本发明公开了一种宽稳定性窄带铌酸钾钠基铁电陶瓷材料及其制备方法，该材料其化学式为(1-x-y)K0.5Na0.5NbO3-y(BaNb0.5Ni0.5O3)-xLiNbO3,通过传统的陶瓷制备固相反应法，经过烘料，配料、球磨、烘干，预烧、二次球磨、烘干，造粒、成型、烧结、抛光和被银电极，获得该陶瓷材料，制备工艺简单，成本低，无污染，该陶瓷材料具有介电常数高并且在较宽的温度范围内保持稳定，介电损耗小，光谱带隙较窄，制备工艺简单，制备成本低的优点，具有较强的应用。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN111153697A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法

当前第 / 件

一种高电能存储效率的陶瓷材料及其制备方法

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